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RM24C32C-BSNC-B

RM24C32C-BSNC-B

Solo per riferimento

Numero parte RM24C32C-BSNC-B
PNEDA Part # RM24C32C-BSNC-B
Descrizione IC CBRAM 32K I2C 750KHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.964
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RM24C32C-BSNC-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRM24C32C-BSNC-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
RM24C32C-BSNC-B, RM24C32C-BSNC-B Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 637,6 KB)
PDFRM24C32C-BTAC-T Datasheet Copertura
RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 2 RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 3 RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 4 RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 5 RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 6 RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 7 RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 8 RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 9 RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 10 RM24C32C-BTAC-T Datasheet Pagina 11

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  • RM24C32C-BSNC-B Distributor

RM24C32C-BSNC-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
SerieMavriq™
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaCBRAM®
TecnologiaCBRAM
Dimensione della memoria32kb (32B Page Size)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock750kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100µs, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

4Gb (1G x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

32Kb (2K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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