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RJP60F0DPM-00#T1

RJP60F0DPM-00#T1

Solo per riferimento

Numero parte RJP60F0DPM-00#T1
PNEDA Part # RJP60F0DPM-00-T1
Descrizione IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.474
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJP60F0DPM-00#T1 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJP60F0DPM-00#T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJP60F0DPM-00#T1, RJP60F0DPM-00#T1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 80,16 KB)
PDFRJP60F0DPM-00#T1 Datasheet Copertura
RJP60F0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 2 RJP60F0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 3 RJP60F0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 4 RJP60F0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 5 RJP60F0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 6 RJP60F0DPM-00#T1 Datasheet Pagina 7

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RJP60F0DPM-00#T1 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.82V @ 15V, 25A
Potenza - Max40W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C46ns/70ns
Condizione di test400V, 30A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3PFM, SC-93-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PFM

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Produttore

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

258µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

54nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/96ns

Condizione di test

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

80ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IRGPS46160DPBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

240A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

360A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 120A

Potenza - Max

750W

Switching Energy

5.75mJ (on), 3.43mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

240nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

80ns/190ns

Condizione di test

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

130ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SUPER-247™ (TO-274AA)

FGA15S125P

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1250V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.72V @ 15V, 15A

Potenza - Max

136W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

129nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

IRGS30B60KTRRP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

78A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Potenza - Max

370W

Switching Energy

350µJ (on), 825µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

102nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

46ns/185ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto / Custodia

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