RJP4301APP-M0#T2
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| Numero parte | RJP4301APP-M0#T2 |
| PNEDA Part # | RJP4301APP-M0-T2 |
| Descrizione | IGBT 430V TO200FL |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.676 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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RJP4301APP-M0#T2 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RJP4301APP-M0#T2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
RJP4301APP-M0#T2, RJP4301APP-M0#T2 Datasheet
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RJP4301APP-M0#T2 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 430V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 10V @ 26V, 200A |
| Potenza - Max | 30W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/100ns |
| Condizione di test | 300V, 200A, 30Ohm, 26V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FL |
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