RJK6025DPD-00#J2
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| Numero parte | RJK6025DPD-00#J2 |
| PNEDA Part # | RJK6025DPD-00-J2 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 1A MP3A |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.508 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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RJK6025DPD-00#J2 Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RJK6025DPD-00#J2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
RJK6025DPD-00#J2, RJK6025DPD-00#J2 Datasheet
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RJK6025DPD-00#J2 Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 37.5pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 29.7W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MP-3A |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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