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RJH60F5DPQ-A0#T0

RJH60F5DPQ-A0#T0

Solo per riferimento

Numero parte RJH60F5DPQ-A0#T0
PNEDA Part # RJH60F5DPQ-A0-T0
Descrizione IGBT 600V 80A 260.4W TO247A
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.642
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Consegna stimata giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60F5DPQ-A0#T0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60F5DPQ-A0#T0
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60F5DPQ-A0#T0, RJH60F5DPQ-A0#T0 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 88,88 KB)
PDFRJH60F5DPQ-A0#T0 Datasheet Copertura
RJH60F5DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 2 RJH60F5DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 3 RJH60F5DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 4 RJH60F5DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 5 RJH60F5DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 6 RJH60F5DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 7 RJH60F5DPQ-A0#T0 Datasheet Pagina 8

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  • RJH60F5DPQ-A0#T0 Distributor

RJH60F5DPQ-A0#T0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 40A
Potenza - Max260.4W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C53ns/105ns
Condizione di test400V, 30A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)90ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247A

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 6A

Potenza - Max

68W

Switching Energy

215µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/220ns

Condizione di test

400V, 6A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

IRG4PC50KPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

52A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

490µJ (on), 680µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

38ns/160ns

Condizione di test

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

400W

Switching Energy

550µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/190ns

Condizione di test

480V, 40A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Potenza - Max

260W

Switching Energy

383µJ (on), 233µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

163nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

45ns/189ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Gate Charge

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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