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RJH60D3DPE-00#J3

RJH60D3DPE-00#J3

Solo per riferimento

Numero parte RJH60D3DPE-00#J3
PNEDA Part # RJH60D3DPE-00-J3
Descrizione IGBT 600V 35A LDPAK
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.092
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60D3DPE-00#J3 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60D3DPE-00#J3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60D3DPE-00#J3, RJH60D3DPE-00#J3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 101,84 KB)
PDFRJH60D3DPE-00#J3 Datasheet Copertura
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RJH60D3DPE-00#J3 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 17A
Potenza - Max113W
Switching Energy200µJ (on), 210µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge37nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C35ns/80ns
Condizione di test300V, 17A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-83
Pacchetto dispositivo fornitore4-LDPAK

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

190µJ (on), 160µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

64nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12ns/168ns

Condizione di test

400V, 10A, 26Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

72ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

IRGPS60B120KDP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 60A

Potenza - Max

595W

Switching Energy

3.21mJ (on), 4.78mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

340nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

600V, 15A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

180ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-274AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SUPER-247™ (TO-274AA)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

43A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 11A

Potenza - Max

298W

Switching Energy

950µJ (on), 1.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/180ns

Condizione di test

960V, 11A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

70ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.81V @ 15V, 40A

Potenza - Max

268W

Switching Energy

194µJ (on), 388µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

73nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

19.2ns/68.8ns

Condizione di test

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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