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RJH60D1DPE-00#J3

RJH60D1DPE-00#J3

Solo per riferimento

Numero parte RJH60D1DPE-00#J3
PNEDA Part # RJH60D1DPE-00-J3
Descrizione IGBT 600V 20A 52W LDPAK
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.526
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Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60D1DPE-00#J3 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60D1DPE-00#J3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60D1DPE-00#J3, RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 105,57 KB)
PDFRJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Copertura
RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Pagina 2 RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Pagina 3 RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Pagina 4 RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Pagina 5 RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Pagina 6 RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Pagina 7 RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Pagina 8 RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Pagina 9 RJH60D1DPE-00#J3 Datasheet Pagina 10

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  • RJH60D1DPE-00#J3 Distributor

RJH60D1DPE-00#J3 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Potenza - Max52W
Switching Energy100µJ (on), 130µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge13nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/42ns
Condizione di test300V, 10A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-83
Pacchetto dispositivo fornitore4-LDPAK

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

18A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Potenza - Max

115W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IRG4BC20F

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

70µJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

27nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/190ns

Condizione di test

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

Potenza - Max

400W

Switching Energy

900µJ (on), 3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

140nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/270ns

Condizione di test

960V, 35A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Potenza - Max

298W

Switching Energy

1.41mJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

173nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

87ns/180ns

Condizione di test

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

76ns

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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