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RJH60A85RDPE-00#J3

RJH60A85RDPE-00#J3

Solo per riferimento

Numero parte RJH60A85RDPE-00#J3
PNEDA Part # RJH60A85RDPE-00-J3
Descrizione IGBT 600V 30A 113W LDPAK
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.694
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RJH60A85RDPE-00#J3 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRJH60A85RDPE-00#J3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
RJH60A85RDPE-00#J3, RJH60A85RDPE-00#J3 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 105,42 KB)
PDFRJH60A85RDPE-00#J3 Datasheet Copertura
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  • RJH60A85RDPE-00#J3 Distributor

RJH60A85RDPE-00#J3 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo IGBTTrench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 15A
Potenza - Max113W
Switching Energy430µJ (on), 300µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge56nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C40ns/86ns
Condizione di test300V, 15A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)160ns
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-83
Pacchetto dispositivo fornitore4-LDPAK

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 39A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

1.5mJ (on), 2.4mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

190nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

55ns/240ns

Condizione di test

480V, 39A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

1.28mJ (on), 500µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

119nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/126ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

65ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

FGH40T120SMD-F155

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

555W

Switching Energy

2.7mJ (on), 1.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

370nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/475ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

65ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.4A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

Potenza - Max

25W

Switching Energy

30µJ (on), 13µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

9nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/80ns

Condizione di test

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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