RGTH60TS65GC11
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| Numero parte | RGTH60TS65GC11 |
| PNEDA Part # | RGTH60TS65GC11 |
| Descrizione | IGBT 650V 58A 197W TO-247N |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.084 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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RGTH60TS65GC11 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RGTH60TS65GC11 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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RGTH60TS65GC11 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 58A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Potenza - Max | 197W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 58nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 27ns/105ns |
| Condizione di test | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247N |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Potenza - Max 220W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) 575ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P |
Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 24A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Potenza - Max 104W Switching Energy 380µJ (on), 900µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 48nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) 40ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3 |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 430V Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 10V @ 26V, 200A Potenza - Max 30W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C 50ns/100ns Condizione di test 300V, 200A, 30Ohm, 26V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FL |
