RGTH50TS65GC11
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| Numero parte | RGTH50TS65GC11 |
| PNEDA Part # | RGTH50TS65GC11 |
| Descrizione | IGBT 650V 50A 174W TO-247N |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.028 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGTH50TS65GC11 Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RGTH50TS65GC11 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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RGTH50TS65GC11 Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 650V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | 174W |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 49nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 27ns/94ns |
| Condizione di test | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247N |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) - Corrente - Collettore (Ic) (Max) - Corrente - Collettore Pulsato (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Potenza - Max - Switching Energy - Tipo di ingresso - Gate Charge - Td (acceso / spento) @ 25 ° C - Condizione di test - Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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