RGL41B-E3/97
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| Numero parte | RGL41B-E3/97 |
| PNEDA Part # | RGL41B-E3-97 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.604 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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RGL41B-E3/97 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RGL41B-E3/97 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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RGL41B-E3/97 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 300V Capacità @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Global Power Technologies Group Serie Amp+™ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 58A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.65V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 70µA @ 600V Capacità @ Vr, F 1054pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie FRED Pt® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.13V @ 150A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 45ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia PowerTab™, PowIRtab™ Pacchetto dispositivo fornitore PowIRtab™ Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore SMB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
