RF501PS2STB
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| Numero parte | RF501PS2STB |
| PNEDA Part # | RF501PS2STB |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 5A 8TSOP |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.696 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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RF501PS2STB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | RF501PS2STB |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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RF501PS2STB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSOP |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 150°C (Max) |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 4µA @ 1100V Capacità @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
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