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RB162LAM-60TR

RB162LAM-60TR

Solo per riferimento

Numero parte RB162LAM-60TR
PNEDA Part # RB162LAM-60TR
Descrizione DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDTM
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 44.016
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RB162LAM-60TR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRB162LAM-60TR
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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RB162LAM-60TR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)60V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If650mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 60V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-128
Pacchetto dispositivo fornitorePMDTM
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 15A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

27µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Sawn on foil

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

S25100

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

TRS6E65C,S1AQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 6A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

90µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

35pF @ 650V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2L

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

SBLF1030HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

RGF1KHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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