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R6511KNJTL

R6511KNJTL

Solo per riferimento

Numero parte R6511KNJTL
PNEDA Part # R6511KNJTL
Descrizione NCH 650V 11A POWER MOSFET. R651
Produttore Rohm Semiconductor
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Disponibile 4.860
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R6511KNJTL Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR6511KNJTL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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R6511KNJTL Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 320µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)124W (Tc)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLPTS
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

IXYS

Serie

Linear L2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

540W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

FQPF17P10

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 5.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

41W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.1nC @ 10V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

AOB480L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta), 180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7820pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.9W (Ta), 333W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF9640PBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

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