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R1RW0408DGE-2PI#B0

R1RW0408DGE-2PI#B0

Solo per riferimento

Numero parte R1RW0408DGE-2PI#B0
PNEDA Part # R1RW0408DGE-2PI-B0
Descrizione IC SRAM 4M FAST 36-SOJ
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.986
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1RW0408DGE-2PI#B0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1RW0408DGE-2PI#B0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1RW0408DGE-2PI#B0, R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 91,13 KB)
PDFR1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Copertura
R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 2 R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 3 R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 4 R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 5 R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 6 R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 7 R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 8 R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 9 R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 10 R1RW0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 11

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R1RW0408DGE-2PI#B0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore36-SOJ

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Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (128 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

2ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

60ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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