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R1RP0408DGE-2PI#B0

R1RP0408DGE-2PI#B0

Solo per riferimento

Numero parte R1RP0408DGE-2PI#B0
PNEDA Part # R1RP0408DGE-2PI-B0
Descrizione IC SRAM 4M FAST 36-SOJ
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.410
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1RP0408DGE-2PI#B0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1RP0408DGE-2PI#B0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1RP0408DGE-2PI#B0, R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 91,42 KB)
PDFR1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Copertura
R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 2 R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 3 R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 4 R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 5 R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 6 R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 7 R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 8 R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 9 R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 10 R1RP0408DGE-2PI#B0 Datasheet Pagina 11

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R1RP0408DGE-2PI#B0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore36-SOJ

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Formato memoria

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Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Serie

*

Tipo di memoria

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Formato memoria

-

Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

-

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Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

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-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

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Temperatura di esercizio

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Surface Mount

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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M25P16-VMN3TPB TR

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

75MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms, 5ms

Tempo di accesso

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Temperatura di esercizio

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