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R1LV5256ESP-7SI#B0

R1LV5256ESP-7SI#B0

Solo per riferimento

Numero parte R1LV5256ESP-7SI#B0
PNEDA Part # R1LV5256ESP-7SI-B0
Descrizione IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.912
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LV5256ESP-7SI#B0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LV5256ESP-7SI#B0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LV5256ESP-7SI#B0, R1LV5256ESP-7SI#B0 Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 282,85 KB)
PDFR1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Copertura
R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 2 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 3 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 4 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 5 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 6 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 7 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 8 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 9 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 10 R1LV5256ESP-7SR#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LV5256ESP-7SI#B0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOP

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (512 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DIP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Mb (264 Bytes x 1024 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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