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R1LP0408DSP-7SR#B0

R1LP0408DSP-7SR#B0

Solo per riferimento

Numero parte R1LP0408DSP-7SR#B0
PNEDA Part # R1LP0408DSP-7SR-B0
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.398
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

R1LP0408DSP-7SR#B0 Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteR1LP0408DSP-7SR#B0
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
R1LP0408DSP-7SR#B0, R1LP0408DSP-7SR#B0 Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 286,51 KB)
PDFR1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Copertura
R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 2 R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 3 R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 4 R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 5 R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 6 R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 7 R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 8 R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 9 R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 10 R1LP0408DSP-7SR#S0 Datasheet Pagina 11

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R1LP0408DSP-7SR#B0 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-SOP

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

32Gb (512M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

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20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

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