PSMN8R5-100PSFQ
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| Numero parte | PSMN8R5-100PSFQ |
| PNEDA Part # | PSMN8R5-100PSFQ |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.700 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 23 - giu 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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PSMN8R5-100PSFQ Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PSMN8R5-100PSFQ |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
PSMN8R5-100PSFQ, PSMN8R5-100PSFQ Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 258,87 KB)
  
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PSMN8R5-100PSFQ Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 98A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3181pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 183W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.24mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4616pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 194W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia SC-100, SOT-669 |
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