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PSMN2R0-30PL,127

PSMN2R0-30PL,127

Solo per riferimento

Numero parte PSMN2R0-30PL,127
PNEDA Part # PSMN2R0-30PL-127
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 27.864
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PSMN2R0-30PL Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePSMN2R0-30PL,127
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PSMN2R0-30PL, PSMN2R0-30PL Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 713,65 KB)
PDFPSMN2R0-30PL Datasheet Copertura
PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 2 PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 3 PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 4 PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 5 PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 6 PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 7 PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 8 PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 9 PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 10 PSMN2R0-30PL Datasheet Pagina 11

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PSMN2R0-30PL Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6810pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)211W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

39W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRF8707TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.9mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RS3E180ATTB1

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 8V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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±25V

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

104W (Tc)

Temperatura di esercizio

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