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PMN48XP,115

PMN48XP,115

Solo per riferimento

Numero parte PMN48XP,115
PNEDA Part # PMN48XP-115
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.124
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMN48XP Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMN48XP,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PMN48XP, PMN48XP Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 1.109,87 KB)
PDFPMN48XPAX Datasheet Copertura
PMN48XPAX Datasheet Pagina 2 PMN48XPAX Datasheet Pagina 3 PMN48XPAX Datasheet Pagina 4 PMN48XPAX Datasheet Pagina 5 PMN48XPAX Datasheet Pagina 6 PMN48XPAX Datasheet Pagina 7 PMN48XPAX Datasheet Pagina 8 PMN48XPAX Datasheet Pagina 9 PMN48XPAX Datasheet Pagina 10 PMN48XPAX Datasheet Pagina 11

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  • PMN48XP,115 Distributor

PMN48XP Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.1A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

127nC @ 15V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.12W (Ta), 166W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

IXYS

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

560W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264AA (IXFK)

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

IPP50N10S3L16AKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4180pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRF6100

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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