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PMN38EN,135

PMN38EN,135

Solo per riferimento

Numero parte PMN38EN,135
PNEDA Part # PMN38EN-135
Descrizione MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.970
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 4 - lug 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PMN38EN Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePMN38EN,135
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PMN38EN, PMN38EN Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 293,09 KB)
PDFPMN38EN Datasheet Copertura
PMN38EN Datasheet Pagina 2 PMN38EN Datasheet Pagina 3 PMN38EN Datasheet Pagina 4 PMN38EN Datasheet Pagina 5 PMN38EN Datasheet Pagina 6 PMN38EN Datasheet Pagina 7 PMN38EN Datasheet Pagina 8 PMN38EN Datasheet Pagina 9 PMN38EN Datasheet Pagina 10 PMN38EN Datasheet Pagina 11

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PMN38EN Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.4A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds495pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.75W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

59V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 35V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.69W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

AOD4120L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI7404DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 13.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

SPP15N60CFDHKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 750µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1820pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

156W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1140pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.8W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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