PMEG45U10EPDAZ
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| Numero parte | PMEG45U10EPDAZ |
| PNEDA Part # | PMEG45U10EPDAZ |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 45V 10A CFP15 |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.182 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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PMEG45U10EPDAZ Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PMEG45U10EPDAZ |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
PMEG45U10EPDAZ, PMEG45U10EPDAZ Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 684,87 KB)
  
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PMEG45U10EPDAZ Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 45V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 16ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 10V |
| Capacità @ Vr, F | 1170pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-277, 3-PowerDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | CFP15 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Torex Semiconductor Ltd Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 180µA @ 650V Capacità @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore PG-VSON-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
