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PI5101-01-LGIZ

PI5101-01-LGIZ

Solo per riferimento

Numero parte PI5101-01-LGIZ
PNEDA Part # PI5101-01-LGIZ
Descrizione MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA
Produttore Vicor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.088
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PI5101-01-LGIZ Risorse

Brand Vicor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePI5101-01-LGIZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PI5101-01-LGIZ, PI5101-01-LGIZ Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 924,16 KB)
PDFPI5101-01-LGIZ Datasheet Copertura
PI5101-01-LGIZ Datasheet Pagina 2 PI5101-01-LGIZ Datasheet Pagina 3 PI5101-01-LGIZ Datasheet Pagina 4 PI5101-01-LGIZ Datasheet Pagina 5 PI5101-01-LGIZ Datasheet Pagina 6 PI5101-01-LGIZ Datasheet Pagina 7 PI5101-01-LGIZ Datasheet Pagina 8 PI5101-01-LGIZ Datasheet Pagina 9 PI5101-01-LGIZ Datasheet Pagina 10

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PI5101-01-LGIZ Specifiche

ProduttoreVicor Corporation
SeriePicor® µRDS(on)FET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)5V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)3.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.45mOhm @ 60A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7600pF @ 5V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore3-LGA (4.1x8)
Pacchetto / Custodia3-FLGA

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVIII

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta), 35W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

FDS7096N3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1587pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7811WGTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2335pF @ 16V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTD70N03RG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 32A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1333pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.36W (Ta), 62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® III

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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