PHK04P02T,518
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| Numero parte | PHK04P02T,518 |
| PNEDA Part # | PHK04P02T-518 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.570 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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PHK04P02T Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | PHK04P02T,518 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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PHK04P02T Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 16V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.66A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 528pF @ 12.8V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 127pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta), 3.125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006-3 Pacchetto / Custodia SC-101, SOT-883 |
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