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PH3134-55L

PH3134-55L

Solo per riferimento

Numero parte PH3134-55L
PNEDA Part # PH3134-55L
Descrizione RF TRANS NPN 65V
Produttore M/A-Com Technology Solutions
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.328
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PH3134-55L Risorse

Brand M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePH3134-55L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
PH3134-55L, PH3134-55L Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 92,94 KB)
PDFPH3134-55L Datasheet Copertura
PH3134-55L Datasheet Pagina 2

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PH3134-55L Specifiche

ProduttoreM/A-Com Technology Solutions
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)65V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7.5dB
Potenza - Max55W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6.5A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Guadagno

18.3dB

Potenza - Max

210mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-143R

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143R

SD1143-01

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

175MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

20W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M113

Pacchetto dispositivo fornitore

M113

BFP740FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

42GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

27.5dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

12GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

11dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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