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PH3030AL,115

PH3030AL,115

Solo per riferimento

Numero parte PH3030AL,115
PNEDA Part # PH3030AL-115
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PH3030AL Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePH3030AL,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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PH3030AL Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45.8nC @ 10V
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2822pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

93pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

18.1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

EPC2014C

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Vgs (massimo)

+6V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Die Outline (5-Solder Bar)

Pacchetto / Custodia

Die

DMT3020LFCL-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.7W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN1616-6

Pacchetto / Custodia

6-UFDFN Exposed Pad

NVMFS5C430NLWFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

MTB50P03HDLG

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

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