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PH2520U,115

PH2520U,115

Solo per riferimento

Numero parte PH2520U,115
PNEDA Part # PH2520U-115
Descrizione MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.050
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PH2520U Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePH2520U,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
PH2520U, PH2520U Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 694,3 KB)
PDFPH2520U Datasheet Copertura
PH2520U Datasheet Pagina 2 PH2520U Datasheet Pagina 3 PH2520U Datasheet Pagina 4 PH2520U Datasheet Pagina 5 PH2520U Datasheet Pagina 6 PH2520U Datasheet Pagina 7 PH2520U Datasheet Pagina 8 PH2520U Datasheet Pagina 9 PH2520U Datasheet Pagina 10 PH2520U Datasheet Pagina 11

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PH2520U Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78nC @ 4.5V
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5850pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)62.5W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

85W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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NTLUS3A18PZTBG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2240pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFN (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

IRF3205ZL

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 66A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3450pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

170W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.65W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 10A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta), 20W (Tc)

Temperatura di esercizio

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