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PEMD12,115

PEMD12,115

Solo per riferimento

Numero parte PEMD12,115
PNEDA Part # PEMD12-115
Descrizione TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.888
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PEMD12 Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePEMD12,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
PEMD12, PEMD12 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.271,28 KB)
PDFPUMD12/DG/B3 Datasheet Copertura
PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 2 PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 3 PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 4 PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 5 PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 6 PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 7 PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 8 PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 9 PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 10 PUMD12/DG/B3 Datasheet Pagina 11

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PEMD12 Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo di transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)47kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max300mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-666

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms, 47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

DDA142JH-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

470Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

XP0338300L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms, 4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms, 10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz, 80MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Pacchetto dispositivo fornitore

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NP0H3A300A

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz, 80MHz

Potenza - Max

125mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-963

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Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

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