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PDTC143XQAZ

PDTC143XQAZ

Solo per riferimento

Numero parte PDTC143XQAZ
PNEDA Part # PDTC143XQAZ
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.790
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PDTC143XQAZ Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePDTC143XQAZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
PDTC143XQAZ, PDTC143XQAZ Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 2.754,58 KB)
PDFPDTC143ZQAZ Datasheet Copertura
PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 2 PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 3 PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 4 PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 5 PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 6 PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 7 PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 8 PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 9 PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 10 PDTC143ZQAZ Datasheet Pagina 11

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PDTC143XQAZ Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorNPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)4.7 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic100mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA
Frequenza - Transizione230MHz
Potenza - Max280mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1010D-3

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SSM

UNR32AA00L

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

100 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

SSSMini3-F1

SMMUN2116LT3G

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

246mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

UNR411300A

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

80MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

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Potenza - Max

150mW

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