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PCF85116-3P/01,112

PCF85116-3P/01,112

Solo per riferimento

Numero parte PCF85116-3P/01,112
PNEDA Part # PCF85116-3P-01-112
Descrizione IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8DIP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.932
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PCF85116-3P/01 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePCF85116-3P/01,112
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
PCF85116-3P/01, PCF85116-3P/01 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 180,54 KB)
PDFPCF85116-3P/01 Datasheet Copertura
PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 2 PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 3 PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 4 PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 5 PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 6 PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 7 PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 8 PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 9 PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 10 PCF85116-3P/01 Datasheet Pagina 11

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PCF85116-3P/01 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-DIP

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

208-CABGA (15x15)

IDT71T75602S133PFI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

2.375V ~ 2.625V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

MT46H8M16LFCF-10

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

60-VFBGA (8x10)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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