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PBLS2001D,115

PBLS2001D,115

Solo per riferimento

Numero parte PBLS2001D,115
PNEDA Part # PBLS2001D-115
Descrizione TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 29.910
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

PBLS2001D Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di partePBLS2001D,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
PBLS2001D, PBLS2001D Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 274,5 KB)
PDFPBLS2001D Datasheet Copertura
PBLS2001D Datasheet Pagina 2 PBLS2001D Datasheet Pagina 3 PBLS2001D Datasheet Pagina 4 PBLS2001D Datasheet Pagina 5 PBLS2001D Datasheet Pagina 6 PBLS2001D Datasheet Pagina 7 PBLS2001D Datasheet Pagina 8 PBLS2001D Datasheet Pagina 9 PBLS2001D Datasheet Pagina 10 PBLS2001D Datasheet Pagina 11

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PBLS2001D Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo di transistor1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA, 1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V, 20V
Resistenza - Base (R1)2.2kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)2.2kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)1µA, 100nA
Frequenza - Transizione185MHz
Potenza - Max600mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

UMA4NTR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Pacchetto dispositivo fornitore

UMT5

RN4907FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz, 200MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

DMA566040R

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

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