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NXH80T120L2Q0S2G

NXH80T120L2Q0S2G

Solo per riferimento

Numero parte NXH80T120L2Q0S2G
PNEDA Part # NXH80T120L2Q0S2G
Descrizione PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.344
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NXH80T120L2Q0S2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNXH80T120L2Q0S2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
NXH80T120L2Q0S2G, NXH80T120L2Q0S2G Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 186,38 KB)
PDFNXH80T120L2Q0S2G Datasheet Copertura
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  • NXH80T120L2Q0S2G Distributor

NXH80T120L2Q0S2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneThree Level Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)57A
Potenza - Max125W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.85V @ 15V, 80A
Corrente - Taglio collettore (Max)300µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce19.4nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitore18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

700µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

FS100R12N2T4PBPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FS200R12A1T4H5BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FF150R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

225A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS35R12W1T4B11BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

225W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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