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NX138AKSX

NX138AKSX

Solo per riferimento

Numero parte NX138AKSX
PNEDA Part # NX138AKSX
Descrizione MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 23.808
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NX138AKSX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNX138AKSX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NX138AKSX, NX138AKSX Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 783,5 KB)
PDFNX138AKSF Datasheet Copertura
NX138AKSF Datasheet Pagina 2 NX138AKSF Datasheet Pagina 3 NX138AKSF Datasheet Pagina 4 NX138AKSF Datasheet Pagina 5 NX138AKSF Datasheet Pagina 6 NX138AKSF Datasheet Pagina 7 NX138AKSF Datasheet Pagina 8 NX138AKSF Datasheet Pagina 9 NX138AKSF Datasheet Pagina 10 NX138AKSF Datasheet Pagina 11

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NX138AKSX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 30V
Potenza - Max325mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 20V

Potenza - Max

20.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

FDG6313N

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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DMN3022LDG-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

Potenza - Max

1.96W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A, 6.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.4nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1525pF @ 6V

Potenza - Max

2.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

183mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

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