NVMTS0D6N04CTXG
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| Numero parte | NVMTS0D6N04CTXG |
| PNEDA Part # | NVMTS0D6N04CTXG |
| Descrizione | T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSI |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.460 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVMTS0D6N04CTXG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMTS0D6N04CTXG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVMTS0D6N04CTXG, NVMTS0D6N04CTXG Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 287,93 KB)
  
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NVMTS0D6N04CTXG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 533A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.48mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11800pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFNW (8.3x8.4) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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