NVMJS1D5N04CLTWG
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| Numero parte | NVMJS1D5N04CLTWG |
| PNEDA Part # | NVMJS1D5N04CLTWG |
| Descrizione | FET NCH 40V 185A |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.164 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVMJS1D5N04CLTWG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMJS1D5N04CLTWG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVMJS1D5N04CLTWG, NVMJS1D5N04CLTWG Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 151,27 KB)
  
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NVMJS1D5N04CLTWG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Ta), 200A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-LFPAK |
| Pacchetto / Custodia | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
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