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NVMFS6B75NLT1G

NVMFS6B75NLT1G

Solo per riferimento

Numero parte NVMFS6B75NLT1G
PNEDA Part # NVMFS6B75NLT1G
Descrizione MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.518
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NVMFS6B75NLT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVMFS6B75NLT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NVMFS6B75NLT1G, NVMFS6B75NLT1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 78,98 KB)
PDFNVMFS6B75NLWFT1G Datasheet Copertura
NVMFS6B75NLWFT1G Datasheet Pagina 2 NVMFS6B75NLWFT1G Datasheet Pagina 3 NVMFS6B75NLWFT1G Datasheet Pagina 4 NVMFS6B75NLWFT1G Datasheet Pagina 5 NVMFS6B75NLWFT1G Datasheet Pagina 6

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NVMFS6B75NLT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Ta), 28A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.3nC @ 10V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds740pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.5W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN, 5 Leads

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PSMN2R8-40BS,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4491pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

211W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRL3716LPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5090pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

210W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-262

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXTA)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQA5N90_F109

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

185W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

BSO4410

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 42µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1280pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Venduto di recente

LTC1726IS8-2.5#PBF

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IC TRPL SPLY MONITOR 2.5V 8-SOIC

MP101301

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ZF Electronics

SENSOR HALL DIGITAL WIRE LEADS

3314G-1-103E

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TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

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Renesas Electronics America Inc.

IC DGTL POT 100KOHM 100TAP 8SOIC

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NJM2121M

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NJR Corporation/NJRC

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DMP

2SA2222SG

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ON Semiconductor

TRANS PNP 50V 10A TO-220ML

MMSZ5226B-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123

4608X-101-102LF

4608X-101-102LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 1K OHM 8SIP

LT1963AEST-3.3#PBF

LT1963AEST-3.3#PBF

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IC REG LINEAR 3.3V 1.5A SOT223-3

ADP1708ACPZ-R7

ADP1708ACPZ-R7

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