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NVMFS5C680NLT1G

NVMFS5C680NLT1G

Solo per riferimento

Numero parte NVMFS5C680NLT1G
PNEDA Part # NVMFS5C680NLT1G
Descrizione T6 60V S08FL SINGLE
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 7.470
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NVMFS5C680NLT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVMFS5C680NLT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NVMFS5C680NLT1G, NVMFS5C680NLT1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 134,57 KB)
PDFNVMFS5C680NLWFT1G Datasheet Copertura
NVMFS5C680NLWFT1G Datasheet Pagina 2 NVMFS5C680NLWFT1G Datasheet Pagina 3 NVMFS5C680NLWFT1G Datasheet Pagina 4 NVMFS5C680NLWFT1G Datasheet Pagina 5 NVMFS5C680NLWFT1G Datasheet Pagina 6

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NVMFS5C680NLT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.1A (Ta), 21A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.4W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN, 5 Leads

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3520pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-LFPAK

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

BUK7Y14-80EX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3155pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

147W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

SC-100, SOT-669

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

96mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

540W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AA

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI1499DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

78mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 2.78W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-6 (SOT-363)

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Ta), 68A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5.7W (Ta), 35.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

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