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NVMFS5C404NLWFT3G

NVMFS5C404NLWFT3G

Solo per riferimento

Numero parte NVMFS5C404NLWFT3G
PNEDA Part # NVMFS5C404NLWFT3G
Descrizione MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.694
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NVMFS5C404NLWFT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNVMFS5C404NLWFT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NVMFS5C404NLWFT3G, NVMFS5C404NLWFT3G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 133,12 KB)
PDFNVMFS5C404NLT1G Datasheet Copertura
NVMFS5C404NLT1G Datasheet Pagina 2 NVMFS5C404NLT1G Datasheet Pagina 3 NVMFS5C404NLT1G Datasheet Pagina 4 NVMFS5C404NLT1G Datasheet Pagina 5 NVMFS5C404NLT1G Datasheet Pagina 6

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NVMFS5C404NLWFT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C49A (Ta), 352A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.75mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs181nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12168pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.9W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4707pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

158W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

42A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1165pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

99W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFR214TRRPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MCH6351-TL-W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MCPH

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

MCH6336-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88FL/MCPH6

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Venduto di recente

MC9S08LC36LK

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IC MCU 8BIT 36KB FLASH 80FQFP

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Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3

PIC18F65J15-I/PT

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IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

MCP4921T-E/SN

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Microchip Technology

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

PA0277NL

PA0277NL

Pulse Electronics Power

FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

SF-1206S400-2

SF-1206S400-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206

VO2630-X007T

VO2630-X007T

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5.3KV 2CH OPEN DRN 8SMD

REF192GS

REF192GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

2920L150DR

2920L150DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.5A 2920

TAJC107M016RNJ

TAJC107M016RNJ

CAP TANT 100UF 20% 16V 2312