NVMFD5852NLT1G
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| Numero parte | NVMFD5852NLT1G |
| PNEDA Part # | NVMFD5852NLT1G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 14.712 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVMFD5852NLT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVMFD5852NLT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
NVMFD5852NLT1G, NVMFD5852NLT1G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 78,35 KB)
  
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NVMFD5852NLT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Potenza - Max | 3.2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1037pF @ 15V Potenza - Max 3.6W, 4.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) |
Produttore NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1366pF @ 16V Potenza - Max 3.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 30µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 997pF @ 25V Potenza - Max 3W (Ta), 40W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V, 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 330mA, 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 25V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-666 |
