NVC3S5A51PLZT1G
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| Numero parte | NVC3S5A51PLZT1G |
| PNEDA Part # | NVC3S5A51PLZT1G |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 50.922 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVC3S5A51PLZT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVC3S5A51PLZT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVC3S5A51PLZT1G, NVC3S5A51PLZT1G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 848,23 KB)
  
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NVC3S5A51PLZT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 262pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-CPH |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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