NTP190N65S3HF
Solo per riferimento
| Numero parte | NTP190N65S3HF |
| PNEDA Part # | NTP190N65S3HF |
| Descrizione | SUPERFET3 650V FRFET,190M |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.568 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NTP190N65S3HF Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | NTP190N65S3HF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NTP190N65S3HF, NTP190N65S3HF Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 439,67 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- NTP190N65S3HF Datasheet
- where to find NTP190N65S3HF
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NTP190N65S3HF
- NTP190N65S3HF PDF Datasheet
- NTP190N65S3HF Stock
- NTP190N65S3HF Pinout
- Datasheet NTP190N65S3HF
- NTP190N65S3HF Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NTP190N65S3HF Price
- NTP190N65S3HF Distributor
NTP190N65S3HF Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | FRFET®, SuperFET® III |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 430µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 162W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 550V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 89W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3 Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-CPH Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 515pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET SB Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric SB |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 5V Vgs (massimo) ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 4V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 19W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Single Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 970pF @ 24V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads |
