NTMSD6N303R2G
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| Numero parte | NTMSD6N303R2G |
| PNEDA Part # | NTMSD6N303R2G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.166 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTMSD6N303R2G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTMSD6N303R2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NTMSD6N303R2G, NTMSD6N303R2G Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 147,79 KB)
  
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NTMSD6N303R2G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | FETKY™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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