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NTMFS4943NT1G

NTMFS4943NT1G

Solo per riferimento

Numero parte NTMFS4943NT1G
PNEDA Part # NTMFS4943NT1G
Descrizione MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.250
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTMFS4943NT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMFS4943NT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTMFS4943NT1G, NTMFS4943NT1G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 113,17 KB)
PDFNTMFS4943NT1G Datasheet Copertura
NTMFS4943NT1G Datasheet Pagina 2 NTMFS4943NT1G Datasheet Pagina 3 NTMFS4943NT1G Datasheet Pagina 4 NTMFS4943NT1G Datasheet Pagina 5 NTMFS4943NT1G Datasheet Pagina 6 NTMFS4943NT1G Datasheet Pagina 7

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NTMFS4943NT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.3A (Ta), 41A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.9nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1401pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)910mW (Ta), 22.3W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN, 5 Leads

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, TrenchT2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

175V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

233nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

880W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

IPB12CN10N G

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.6mOhm @ 67A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 83µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4320pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHP30N60E-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

29A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

FDB075N15A-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5595pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

333W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTP2955

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

196mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Venduto di recente

UCLAMP3301D.TCT

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Semtech

TVS DIODE 3.3V 9.5V SOD323

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

XC6SLX100-3CSG484I

XC6SLX100-3CSG484I

Xilinx

IC FPGA 338 I/O 484CSBGA

REF195GS

REF195GS

Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

H1102NL

H1102NL

Pulse Electronics Network

MODULE XFRMR SGL ETHR LAN 16SOIC

1N5254B

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DIODE ZENER 27V 500MW DO35

DS9503P+

DS9503P+

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TVS DIODE 7.5V 6TSOC

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Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET P-CH 40V 24A TO252

LTM4605IV#PBF

LTM4605IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

TAJD336K035RNJ

TAJD336K035RNJ

CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

MAX1686HEUA+T

MAX1686HEUA+T

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP SIM 1OUT 8UMAX

SD101CW-7-F

SD101CW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD123