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NTMFS4937NT3G

NTMFS4937NT3G

Solo per riferimento

Numero parte NTMFS4937NT3G
PNEDA Part # NTMFS4937NT3G
Descrizione MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.452
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTMFS4937NT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMFS4937NT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTMFS4937NT3G, NTMFS4937NT3G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 130,31 KB)
PDFNTMFS4937NT3G Datasheet Copertura
NTMFS4937NT3G Datasheet Pagina 2 NTMFS4937NT3G Datasheet Pagina 3 NTMFS4937NT3G Datasheet Pagina 4 NTMFS4937NT3G Datasheet Pagina 5 NTMFS4937NT3G Datasheet Pagina 6 NTMFS4937NT3G Datasheet Pagina 7

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NTMFS4937NT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.2A (Ta), 70A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2516pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)920mW (Ta), 43W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN, 5 Leads

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 790µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 300V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SIS

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

64A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF2807STRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

82A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3820pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

365mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 140µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

46W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

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