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NTMFS4847NAT3G

NTMFS4847NAT3G

Solo per riferimento

Numero parte NTMFS4847NAT3G
PNEDA Part # NTMFS4847NAT3G
Descrizione MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.704
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTMFS4847NAT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMFS4847NAT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTMFS4847NAT3G, NTMFS4847NAT3G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 126,98 KB)
PDFNTMFS4847NAT1G Datasheet Copertura
NTMFS4847NAT1G Datasheet Pagina 2 NTMFS4847NAT1G Datasheet Pagina 3 NTMFS4847NAT1G Datasheet Pagina 4 NTMFS4847NAT1G Datasheet Pagina 5 NTMFS4847NAT1G Datasheet Pagina 6 NTMFS4847NAT1G Datasheet Pagina 7

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NTMFS4847NAT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.5A (Ta), 85A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2614pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)880mW (Ta), 48.4W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN, 5 Leads

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Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115mA

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

Pacchetto / Custodia

SOT-523

BUK9230-55A,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1725pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

88W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI1315DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

900mA (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

336mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

112pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300mW (Ta), 400mW (Tc)

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

NVMFS5C410NWFAFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Ta), 300A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.92mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.9W (Ta), 166W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

NDB5060L

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Produttore

ON Semiconductor

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Vgs (massimo)

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

68W (Tc)

Temperatura di esercizio

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