NTMD6N02R2G
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| Numero parte | NTMD6N02R2G |
| PNEDA Part # | NTMD6N02R2G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 24.192 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTMD6N02R2G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTMD6N02R2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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NTMD6N02R2G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.92A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 16V |
| Potenza - Max | 730mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17.5A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 13V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore Power56 |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 17-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS-DIL™ |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 280mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.59nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 1000V (1kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 308nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8700pF @ 25V Potenza - Max 694W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
