NTMD6601NR2G
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Numero parte | NTMD6601NR2G |
PNEDA Part # | NTMD6601NR2G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.706 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTMD6601NR2G Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | NTMD6601NR2G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
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NTMD6601NR2G Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Potenza - Max | 600mW |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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