NTLJD3115PT1G
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| Numero parte | NTLJD3115PT1G |
| PNEDA Part # | NTLJD3115PT1G |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.794 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTLJD3115PT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTLJD3115PT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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NTLJD3115PT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 531pF @ 10V |
| Potenza - Max | 710mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V Potenza - Max 380mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010B-6 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A, 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 93mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 20V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH |
