NTJS3151PT1G
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| Numero parte | NTJS3151PT1G |
| PNEDA Part # | NTJS3151PT1G |
| Descrizione | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 584.076 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTJS3151PT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTJS3151PT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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NTJS3151PT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 12V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 625mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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